電參數測試：首先，通過參數分析儀對半導體器件進行電參數測試，包括電流-電壓（I-V）特性、電容-電壓（C-V）特性測試。這些測試可以幫助識別器件的電氣性能是否符合規(guī)格，如是否存在電流泄漏、電壓異常等現象。
溫度效應分析：在不同的溫度條件下進行測試，觀察器件性能的變化。溫度變化可以揭示器件的熱穩(wěn)定性問題，如熱失控或熱失效。
動態(tài)性能測試：測量器件的動態(tài)參數，如頻率響應和增益，以評估其在高頻工作狀態(tài)下的性能。
故障隔離：當測試顯示出異常時，使用參數分析儀的精密探針功能對器件的內部節(jié)點進行探測，以隔離故障區(qū)域。這可能涉及到逐步剝離器件的封裝，以暴露出芯片的各個部分進行測試。
光學和顯微鏡檢查：使用光學顯微鏡或電子顯微鏡觀察器件的表面和橫截面，檢查是否存在物理損傷、裂紋、材料缺陷或工藝問題。
X射線和超聲波檢測：利用X射線和超聲波掃描顯微鏡進行非破壞性檢測，以發(fā)現內部的結構問題或組裝缺陷。
化學分析：對器件進行化學解封后，使用掃描電子顯微鏡（SEM）和能量色散X射線光譜（EDX）等技術進行化學成分分析，以識別材料的組成和可能的污染物。
電學建模和仿真：通過電學建模和仿真，模擬器件在理想狀態(tài)下的性能，并與實際測試結果進行比較，以識別性能偏差的原因。
失效模式分析：根據測試結果，分析器件的失效模式，如開路、短路、參數漂移等，并推斷出可能的失效機理。
故障樹分析：構建故障樹，通過邏輯門電路的方式，分析各種故障原因與失效模式之間的關聯(lián)，以確定最可能的故障原因。
